Лавинно пролетный диод реферат

Центральная слаболегированная n-область называется базой. Гассанов, А. Амплитудно—модулированный передатчик ближней связи. Понятие о пространственных гармониках. На вольт-амперной характеристике лавинно-пролётного диода, в отличие от туннельного диода , отсутствует участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Тагер, А. Эта страница в последний раз была отредактирована 26 марта в

Следовательно, напряжение пробоя можно найти из равенства 3. При низких частотах характеристики ЛДП в непрерывном режиме генерации ограниченны в первую очередь температурным фактором, то есть мощностью, которая может быть рассеяна в виде тепла в полупроводниковом кристалле. Типичный способ монтажа прибора показан на рисунке 3. Упрощенная структура диода и теплоотвода изображена на рисунке 3.

3.3.2. Лавинно-пролетный диод

Полное тепловое сопротивление для кругового источника тепла радиусов r на глубине d s в кремнии равно. Символы поясняются рисунком 3.

Последнее слагаемое равно тепловому сопротивлению теплоотвода, занимающему бесконечное пространство. Предполагается, что теплопроводность алмаза при К в 3 раза превышает соответствующую величину для меди, а значение теплопроводности кремния соответствует максимальной рабочей температуре К таблица 3.

Лавинно пролетный диод реферат 8062676

Из рисунка видно. Теплопроводность и типичные значения толщин слоев различных материалов для диода, работающего в диапазоне частот 15 — 18 ГГц при К. Мощность Ркоторая может быть рассеяна в виде тепла в диоде, должна быть равна мощности, которая может быть передана в теплоотвод.

Лавинно - пролетные диоды

Поэтому Р равногде - разность температур p — n -перехода и теплоотвода. Если реактивная проводимость где остается постоянной, а основной вклад в тепловое сопротивление вносит полупроводник в предположении, чтото для заданной величины. Файловый архив студентов. Двухрезонаторные клистронные генераторы и умножители частоты.

Лавинно пролетный диод реферат 2588

Области применения пролетных клистронов. Модификация магнетронов.

  • Проектирование генератора двоичного кода.
  • Расчет параметров теплового режима блока и выбор радиаторов для охлаждения полупроводниковых приборов.
  • Эффективный коэффициент ударной ионизации равен 3.
  • Расчет задающего генератора на диоде Ганна и выходного усилителя на лавинно—пролетном диоде.

Устройство,принцип действия,характеристики и параметры. Области применения. Платинотроны амплитрон,стабилотрон.

Фрэнсис бернетт таинственный сад рецензииДипломные работы по бисероплетению
Метод наименьших квадратов реферат эконометрикаРеферат на тему индийская древняя цивилизация
Эссе стиль это эпохаКак писать обоснование темы курсовой работы
Деградация озонового слоя рефератИстория конституционализма в россии реферат
Темы дипломных работ радиотехникаКак оформить приложение в дипломной работе 2019

Устройство,принцип действия,параметры. Особенности конструкции и принцип действия лов типа м. Характеристики и параметры.

Генератор серий синхроимпульсов. Скачиваний: Исправить статью согласно стилистическим правилам Википедии. Процессы, происходящие в полупроводниковой структуре диода, ведут к тому, что активная составляющая комплексного сопротивления на малом переменном сигнале в определённом диапазоне частот отрицательна. Платинотроны амплитрон,стабилотрон.

Особенности смесительных и детекторных диодов свч. Вах,эквивалентная схема,параметры смесительных и детекторных диодов. Расчет параметров теплового режима блока и выбор радиаторов для охлаждения полупроводниковых приборов.

Монтаж аппаратуры на печатных платах. Порядок сборки и эксплуатации.

Полупроводники. Лавинно-пролетные диоды.

Проектирование амплитудно—модулированного СВЧ—передатчика с частотной модуляцией. Расчет задающего генератора на диоде Ганна и выходного усилителя на лавинно—пролетном диоде.

Лавинно пролетный диод реферат 7262

Выбор конструкции и эквивалентной схемы, определение электронного режима. Закономерности протекания тока в p—n переходе полупроводников.

Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя напряжения стабилизации.

Лавинно пролетный диод реферат 5713281

Расчет концентрации основных носителей в базе диода. Разработка структурной и принципиальной схемы устройства и реферат отдельных блоков и обоснования принятых решений. Алгоритм и временная диаграмма работы генератора и его отдельных блоков. Расчет основных параметров и характеристик и моделирование генератора. Расчет характеристик параметров кремниевого диода. Составление и характеристика элементов схемной модели для малых переменных сигналов.

Структура диода и краткое описание его получения, особенности исследования зависимости барьерной ёмкости от Диод. Расчет основных электрических, технологических и эксплуатационных лавинно пролетный выпрямительного диффузионного диода на основании заданной структуры характера распределения примеси и электрических характеристик. Построение графиков зависимости параметров.

Анализ технического задания и выбор структурной схемы импульсно—модулированного СВЧ передатчика с частотной модуляцией. Расчет задающего генератора на диоде Ганна.

Материал из Википедии — свободной энциклопедии. Обзор методов изготовления и применения диодов.

Расчет колебательной системы. Параметры выходного усилителя на лавинно—пролетном диоде.

Разработка функциональной и принципиальной схемы контактора. В области, заполненной этими носителями, напряжённость поля понижается почти до нуля. В этом режиме можно выделить три фазы. Ток, текущий через диод в этой фазе, существенно увеличивается из-за дополнительного размножения носителей в базе, а напряжение на диоде за счёт образования плазмы снижается почти до нуля.

База диода в этой фазе наполнена электронно-дырочной плазмой. Плазма постепенно рассасывается. Ток в этой фазе остается неизменным. Наступает третья фаза, характеризуемая высоким значением напряжённости поля в диоде и предшествующая новому образованию лавинного ударного фронта.

Наибольшую длительность имеет именно третья фаза. Процессы лавинно пролетный диод реферат с захваченной плазмой протекают заметно дольше, чем процессы пролётного режима. Поэтому при работе в режиме с захваченной плазмой контур настраивают на меньшую частоту. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версиипроверенной 24 сентября ; проверки требуют 5 правок.

DEFAULT3 comments